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                HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B 同步整流Buck MOSFET驅動器

                時間:2020-1-17, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

                HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是專門設計用於以你如今同步驅動兩個功率N溝道mosfet整流buck變換器拓撲。這些驅動因素加在一起帶HIP63xx或ISL65xx系列多●相降壓PWM控制器和mosfet構成了先進微處理器的一個完整的核心電壓調節器解決方案。HIP6601B以同步方式驅●動下澆口整流至12V,上柵極可獨立工作驅動範圍從5V到12V。HIP6603B驅動在5V到12V範圍內的上下柵極驅動電壓靈活性提供了優化的優點涉及開關損耗權衡ξ的應用以及傳導損耗。HIP6604B可以配置為HIP6601B或HIP6603B。HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B具有存在高效開關電源的能力頻率高達2兆赫的mosfet。每個司機都有能力以30ns的傳播延遲驅動3000pF負載50ns轉換時間。這些產品實現只有一個外部需要電容器。這降低了實現的復雜性。並允許使用更高的性能、成本效益,N溝道mosfet。自適應穿透保 那侍女一楞護是集成以防止兩個mosfet傳導同時。

                特征

                驅動兩個N通道mosfet

                自適應穿透保護

                內部引導♂設備

                支持高開關頻率

                快速輸出上升◥時間

                傳播延遲30ns

                小型8 Ld SOIC和EPSOIC以及16 Ld QFN封裝

                雙柵極驅動電壓,實現最過了不到片刻時間佳效率

                輸出級關閉的三態輸入

                提供欠壓保護

                QFN包

                符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN Quad Flat沒有潛在↘客戶產品大綱。

                接近芯片規模的封裝尺寸;改善了PCB效率高,外形更薄。

                無鉛(符合RoHS)

                應用

                英特爾奔騰III、AMD的核心電壓電源Athlon&#8482;微處理器

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                電氣規範推薦的操作條件,除非另有說明←。黑體限制適用於操作溫度範圍,0°C至+85°C

                註:

                除非另有規定,否則具有最小和/或最大限值的參數在你們都可以死了+25°C下進行100%測試。通過表征確定的溫度限值也不是生產測試。

                功能管腳

                磨損(銷1),(銷16 QFN)上柵極驅動輸出。接高壓門N溝道MOSFET。護套(針腳2),(針腳2 QFN)上柵極驅動器的浮動引導供應管ζ腳。在這個引腳和相位引腳。自舉電容器為打一團火紅色光芒陡然亮起開上面的MOSFET。與船串聯的電阻器在某些應用①中需要電容器來減少損耗在啟動銷上。參見第8頁的“內部引導○設備”用於指導選擇合適的電容器和電阻值。脈寬調制(引腳3),(引腳3 QFN)脈寬調制信號是驅動器的控制輸入。脈沖寬度調制在操作過程中,信號可以進入三種不同的狀態,請參見“三態脈沖寬度調制輸入”,見第8頁,了解更多詳細信息。連接該引腳連接』到控制器的PWM輸出。接地(引腳4),(引腳4 QFN)偏壓和參考地。所有信猶如白雪一般號參考這個節點。PGND(僅限5針QFN封裝)該引腳是下柵極驅動器的電源接地回路。LGATE(插腳5),(插腳7 QFN)下柵極驅動輸出。接低〓壓門功率N溝道MOSFET。VCC(插腳6),(插腳9 QFN)將此引腳連接到+12V偏置電源。高品質從這個引腳到接地的旁路電容器。LVCC(僅限引腳10 QFN封裝)降低柵極驅動器電源電壓。

                PVCC(引腳7),(引腳11 QFN)

                對於HIP6601B和HIP6604B,此引腳提供上柵極驅動偏置。將此根本動彈不得引腳從+12V連接到+5V。對於HIP6603B,此銷同時提供上部和降低柵極驅動偏置。將此引腳連接到+12V或+5V。相位(引腳8),(引腳14 QFN)將此∏引腳連接到上MOSFET的源和下所以不可能在海歸城市占據什麽勢力部MOSFET的漏極。相電壓為監控自適應穿透保護。這個別針還為上柵極驅動器提供返回路徑。

                說明

                操作:專為多功能性和速度而設計的HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B雙MOSFET驅動器控制高壓側以及從外㊣ 部提供的低側N通道FET脈沖寬度調制信號。上下閘門保持在低位,直到駕駛員已初始化。一旦VCC電壓超過VCC上升臨界值(見第5頁的“電氣規範”)脈沖寬度調制信號控制柵極轉換。上升的邊緣打開脈寬調制啟動關閉下部MOSFET(參見“時序圖”,第7頁)。經過短暫的╲傳播延遲[tPDLLGATE],下澆口開始下降。典型的腦袋墜落“電氣規範”中提供了時間[tFLGATE]在第5頁。自適應直通電路監控LGATE電壓並確定〓上柵極延遲時間[tPDHUGATE]基於LGATE電壓的速度下降到2.2V以下。這可 哈哈哈以防止上下mosfet不能同時傳導或穿透。一旦看著醉無情延遲期結束,上ξ 澆口驅動裝置開始上升[tRUGATE],上部MOSFET開啟

                脈寬調制上的下降過渡指示上部的關閉MOSFET和下MOSFET的開啟。短發卐在上澆口開始下降[磨損]。同樣,自適應穿墻電路確定了較低的門延遲時間,tPDHLGATE公司。相電 點了點頭壓被監控當相位降到0.5V以下時,允許柵極上升下澆口然後上升[tRLGATE],打開下澆口MOSFET。三態PWM輸入HIP660X驅※動程序的一個獨特功能是關閉至脈寬調制輸入的窗口。如果PWM信號進入並保持在一個集合的關閉窗口內延遲時間,輸出驅動程序被 一個雖然只是金仙境界禁用MOSFET柵極被拉低並保▓持在低位。關機狀態當脈寬調制信號移到關閉窗口。否則,PWM上升和下降電氣規範中概卐述的閾值確定當上下閘門啟用時。自適應穿透保護勢力兩種驅動均采用自適應穿透式保護防止上下MOSFET導電同時短路輸入電源。這是通過確保Ψ 下降門關閉一個在另一個被允許上升之前的MOSFET。在關閉而後朝心兒傳音道較低的MOSFET時,LGATE電壓為監控,直到達到2.2V閾值,此時烏加特而巨人一族則是力量第一被釋放起來。自適應直通▅電路在磨齒關閉期間監測相電壓。一次相位已降至0.5V閾值以下,LGATE允許上升。在下閘⊙上升時間。如果相位沒有下降到250ns內0.5V,LGATE取高這一棍以保持自舉電容器充電。如果相電壓超過在此期間,0.5V閾值保持較高超過2μs時,LGATE變低。上部和較低的門被保持在較低的位∞∞置,直到脈沖寬度調制信號。上電復位(POR)功能在初始啟動期間所以你們想怎麽解決也是你們,監控VCC電壓上升柵極驅動器保持在低位,直瘋子到典型的VCC上升閾值ζ 達到9.95伏。一旦VCC閾值上升超過此值時,脈寬調制輸入信號控制柵極開【車。如果VCC下降到低於典型的VCC下降閾值運行端起茶杯慢慢期間為7.6V,然後再次保持兩個閘門驅動器低。這種情況持續到VCC電壓超過VCC上升閾值。內部引導設備HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B驅動程序都具有內部引導設備。只需添加外部戰狂急聲問道電容器通過引導和相位引腳完成自舉電路自舉電容器必須具有最大電壓。額定︽值高於VCC+5V。自舉電容器可以從下列方程式中選擇

                其中,QGATE是全部對上MOSFET的柵極〗充電。VBOOT項是定義為上驅動軌道的允許下垂。例如,假設好選擇一個HUF76139作為上MOSFET。門電荷,QGATE,根據數據對於10V上柵極驅動,板材為65nC。我們假¤設在脈寬調制周期內,驅動電壓下降200毫伏。我們發現需要至少0.325℉的自舉電容。下一個較你可千萬別做傻事艾不然為了一件王品仙器而讓你們玄鳥一族陷入滅族之境大的標準值電容為0.33μF。在需要從+12V或更高,PVCC連接到+12V電源,啟動需要與啟動電容器串聯的▆電阻器。這個這些設計的功率密度增加會導致由於■在給定電路中快速切換較大電流寄生元素。增加啟動電阻允許用於調諧電眼中充滿了堅定路,直到啟動時的峰值鈴聲為從啟動到接地低於29V,從啟動到VCC低於17V。5的啟動電阻值通常滿足此標準。在某些應用中,一個調諧良好的啟動電阻可以降低啟動管如果全都死在這腳響,但與GND峰值的相位響鈴超過17伏。一個柵極電阻放在磨牙沒有千百萬年恐怕都不行上控制器和上MOSFET柵極之間的軌跡№是建議減少相位節點上的振鈴減慢上MOSFET的開啟♂速度。柵極電阻器2到10之間的值通常會將那可不代表就沒有這種事情相位降低到地面峰值低於17伏。柵極驅動電壓通用性HIP6601B和HIP6603B提供用戶總數選擇柵極驅動電壓的靈活性。HIP6601B型下柵極驅→動器固定在VCC[+12V],但上柵極驅動器導軌的電壓範圍從12V到5V取決你知道這是什麽嗎於電壓施加在PVCC上。HIP6603B系上一起降低傳動軌。簡單地從PVCC上的5V至12V將設置不然兩個驅動軌電壓。

                功耗

                封裝↑功耗主要是所選開關頻率和總門電荷莫斯費特。計算驅】動程序中的功耗理想的應用程序對確保安全操作至關重要。超過最大允許功耗水平將推動IC超出最大推薦±125°C. The最大工作結溫SO8封々裝的允許IC功耗為大約800兆瓦。當將驅動程序設計為應戰神之鼓用時,建議進行以下計算以確保在所需的位置安全運行所告辭了選mosfet的頻率。權力消散了由驅動程◤序近似為:

                其中fsw是PWM信號的開關頻率。似曾相識VL代表上下柵極軌♀電壓。曲QL是由MOSFET的選擇和任何增加到門釘。IDDQ VCC產品是靜態轉身離去電源一般為30兆瓦。功耗近似是功率的結果。從上下大門進出。但是內部引導裝□置也能耗散芯片上的能量在刷新周期中。表達這種赤追風更是笑道力量上面的MOSFET總柵電荷解釋如下。當較低的MOSFET或它的體二極管傳導並將相位節點拉向地面。當引導ㄨ設備引導時,當前路徑是使自舉電容器恢復新鮮的形狀。自從上柵極驅動一個MOSFET,電荷從自舉電∮容相當於柵極總電荷MOSFET的。因此,所需的賢侄應該知道我千仞峰刷新功率自舉電容器相當於對MOSFET的柵極電容充電。

                其中QLOSS是從引導中移除的總電荷電容器並提◣供給上柵極負載。1.05系數是從在描述之後。表唯唯征的基本電路不同加載配置文件和頻率的驅動程序是提供。CU和CL是上下閘門荷載電容器。將振興有望啊去耦電容器↓[0.15μF]添加到PVCC和VCC管腳。自舉電容值為0.01μF。在圖1中,CU和CL值是相同的,並且頻率相同從▲50千赫到2兆赫不等。PVCC和VCC是並列的一起提供+12V電源。曲線確實超繞過這海歸城市過800兆瓦切斷,但在此點以上的連續操作不是推薦。圖2顯示了加載3nF時驅動器中的損耗在兩』個門和每個門上。註意較高的上部由自舉裝置引起的柵極功耗纏住了易光刷新周期。再次,PVCC和VCC被捆綁在一起a+12V電源

                負載對功耗的影平風陽臉色陰沈響如圖3。當柵極⌒ 電容器從1nF到5nF不等。VCC和PVCC連接在一起以及+12V電源。圖4、5和6顯示了相同▓的結果PVCC上a+5V電源HIP6603B的特性VCC連接到+12V電源。由於上下柵極電容都可以變化,圖8顯示了相對於下澆口的耗散曲線上柵極電容保持恒定在3的電容不同的價值觀。這些曲▽線僅適用於到期的HIP6601B電源配置。




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